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1N5913A G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 3.3V 10% 1.25W 2PIN DO-41 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO-41

1N5913A G 技术参数

1N5913A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5908RL4G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N5908RL4 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:10 1N5908G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:500 1N5908 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:散装零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:500 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12 1N5913CP/TR8 1N5913CPE3/TR12 1N5913CPE3/TR8 1N5913D 1N5913D G 1N5913E3/TR13 1N5913P/TR12