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1N5931C G

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 18V 2% 1.25W 2PIN DO-41 - Bulk
1N5931C G 技术参数
  • 1N5931C 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5931BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 18V 1.25W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗(最大值)(Zzt):12 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N5931BRLG 功能描述:DIODE ZENER 18V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):12 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N5931BRL 功能描述:DIODE ZENER 18V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):12 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:6,000 1N5931BP-TP 功能描述:DIODE ZENER 18V 1.5W DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):12 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:500 1N5931P/TR8 1N5931PE3/TR12 1N5931PE3/TR8 1N5932A 1N5932A G 1N5932AE3/TR13 1N5932AP/TR12 1N5932AP/TR8 1N5932APE3/TR12 1N5932APE3/TR8 1N5932B 1N5932B BK 1N5932B G 1N5932B TR 1N5932BE3/TR13 1N5932BP/TR12 1N5932BP/TR8 1N5932BPE3/TR12
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