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1N5945B BK

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 68V 1.5W DO41
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
  • 68V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 1.5W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 120 Ohms
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 1μA @ 51.2V
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作温度
  • -65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 供应商器件封装
  • DO-41
  • 标准包装
  • 2,000
1N5945B BK 技术参数
  • 1N5945B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5945APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 68V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68V 容差:±10% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):120 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 51.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N5945APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 68V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68V 容差:±10% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):120 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 51.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N5945AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 68V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68V 容差:±10% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):120 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 51.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N5945AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 68V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68V 容差:±10% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):120 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 51.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N5945C G 1N5945CE3/TR13 1N5945CP/TR12 1N5945CP/TR8 1N5945CPE3/TR12 1N5945CPE3/TR8 1N5945D 1N5945D G 1N5945E3/TR13 1N5945P/TR12 1N5945P/TR8 1N5945PE3/TR12 1N5945PE3/TR8 1N5946A 1N5946A G 1N5946AE3/TR13 1N5946AP/TR12 1N5946AP/TR8
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