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1N5950B TR

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功能描述
DIODE ZENER 110V 1.5W DO41
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
110V
容差
±5%
功率 - 最大值
1.5W
阻抗（最大值）（Zzt）
300 Ohms
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1μA @ 83.6V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.5V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
DO-41
标准包装
5,000

1N5950B TR 技术参数

1N5950B G 功能描述:DIODE ZENER 110V 1.25W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）:300 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N5950B BK 功能描述:DIODE ZENER 110V 1.5W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:300 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:DO-41 标准包装:2,000 1N5950B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5950APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±10% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:300 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N5950APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 110V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±10% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:300 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N5950CE3/TR13 1N5950CP/TR12 1N5950CP/TR8 1N5950CPE3/TR12 1N5950CPE3/TR8 1N5950D 1N5950D G 1N5950E3/TR13 1N5950P/TR12 1N5950P/TR8 1N5950PE3/TR12 1N5950PE3/TR8 1N5951A 1N5951A G 1N5951AE3/TR13 1N5951AP/TR12 1N5951AP/TR8 1N5951APE3/TR12