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1N5993UR

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  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • *
  • 零件状态
  • 在售
  • 标准包装
  • 1
1N5993UR 技术参数
  • 1N5993D 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5993C 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5993B-TP 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5993B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5993B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5994D 1N5994UR 1N5994UR-1 1N5995A 1N5995B 1N5995B BK 1N5995B TR 1N5995B_T50A 1N5995B_T50R 1N5995B-TP 1N5995C 1N5995D 1N5995UR 1N5995UR-1 1N5996A 1N5996B 1N5996B BK 1N5996B TR
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