1N6015B

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功能描述
稳压二极管 43 Volt 500mW 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N6015B 技术参数

1N6015A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6014UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6014UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6014D 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6014C 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6016B_T50R 1N6016C 1N6016D 1N6016UR 1N6016UR-1 1N6017A 1N6017B 1N6017B_T50A 1N6017B_T50R 1N6017C 1N6017D 1N6017UR 1N6017UR-1 1N6018A 1N6018B 1N6018B_T50A 1N6018B_T50R 1N6018C