1N6169AUSJANTX

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1N6169AUSJANTX 技术参数

1N6169AUS 功能描述:TVS DIODE 98.8VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:98.8V 电压 - 击穿（最小值）:123.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:178.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 1N6169A 功能描述:TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:98.8V 电压 - 击穿（最小值）:123.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:178.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6169 功能描述:TVS DIODE 187.3VC 8A IPP AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:98.8V（最大）电压 - 击穿（最小值）:117V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:187.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6168US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6168AUS 功能描述:TVS DIODE 91.2VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:91.2V 电压 - 击穿（最小值）:114V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:165.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 1N6172 1N6172A 1N6172AUS 1N6172US 1N6173 1N6173A 1N6173AUS 1N6173US 1N6263 1N6263W-7 1N6263W-7-F 1N6264 1N6265 1N6266 1N6267A 1N6267A-E3/51 1N6267A-E3/54 1N6267A-E3/73