1N619

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1N619 技术参数

1N6173US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6173AUS 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 1N6173A 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6173 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6172US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6267A-E3/73 1N6267AG 1N6267AHE3/51 1N6267AHE3/54 1N6267AHE3/73 1N6267AHE3_A/C 1N6267AHE3_A/D 1N6267ARL4 1N6267ARL4G 1N6267-E3/54 1N6267-E3/73 1N6267HE3/54 1N6267HE3/73 1N6268A-E3/51 1N6268A-E3/54 1N6268A-E3/73 1N6268AHE3/51 1N6268AHE3/54