1N6263W-7F

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1N6263W-7F 技术参数

1N6263W-7 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 15MA SOD123 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:15mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 1N6263 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:15mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N6173US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6173AUS 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 1N6173A 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6267AHE3/51 1N6267AHE3/54 1N6267AHE3/73 1N6267AHE3_A/C 1N6267AHE3_A/D 1N6267ARL4 1N6267ARL4G 1N6267-E3/54 1N6267-E3/73 1N6267HE3/54 1N6267HE3/73 1N6268A-E3/51 1N6268A-E3/54 1N6268A-E3/73 1N6268AHE3/51 1N6268AHE3/54 1N6268AHE3/73 1N6268AHE3_A/C