1N6461US/TR

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功能描述
UNI-DIRECTIONAL TVS
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
类型
齐纳
单向通道
1
电压 - 反向关态（典型值）
5V
电压 - 击穿（最小值）
5.6V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp
9V
电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）
56A
功率 - 峰值脉冲
500W
电源线路保护
无
应用
通用
不同频率时的电容
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SQ-MELF，B
供应商器件封装
B，SQ-MELF
标准包装
100

1N6461US/TR 技术参数

1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N646-1 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6461 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N646 1N645UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US