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1N6483-E3/1

配单专家企业名单
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  • 1N6483-E3/1
    1N6483-E3/1

    1N6483-E3/1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 850000

  • Vishay Semiconductors

  • DO-213AB

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货库存!400-800-030...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
1N6483-E3/1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 800 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
1N6483-E3/1 技术参数
  • 1N6482HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6482HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,500 1N6482-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6482-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6481HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6485US 1N6486 1N6486US 1N6487 1N6487US 1N6488 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509
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