1N6484-E3/97

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说明
操作

1N6484-E3/97
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
VISHAY SE
1521+
-
全新原装现货

1N6484-E3/97
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
VIS
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

1N6484-E3/97
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
5000
VIS
ORIGONAL
16+
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0.13806 USD,szpoweri...

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功能描述
整流器 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N6484-E3/97 技术参数

1N6484-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6483HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6483HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,500 1N6483-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6483-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,500 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509 1N6510 1N6511 1N6536 1N6537 1N6538 1N6539