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1N6638US/TR

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 功能描述
  • SWITCHING
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 125V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 300mA
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.1V @ 200mA
  • 速度
  • 快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)
  • 20ns
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 500nA @ 125V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 2.5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SQ-MELF,D
  • 供应商器件封装
  • D-5D
  • 工作温度 - 结
  • -65°C ~ 175°C
  • 标准包装
  • 100
1N6638US/TR 技术参数
  • 1N6638US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6638 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6637US 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):400 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 1N6637 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):400 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 1N6636US 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):450 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R
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