1N710-6.8V

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1N710-6.8V 技术参数

1N710 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N709A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N709 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N708A 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 250MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3.6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N708 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 250MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3.6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N715 1N715A 1N716 1N716A 1N717 1N717A 1N718 1N718A 1N719 1N719A 1N720 1N720A 1N721 1N721A 1N722 1N722A 1N723 1N723A