1N755A BK

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功能描述
DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
7.5V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
6 欧姆
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.5V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
2,500

1N755A BK 技术参数

1N755A 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N754AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N754ATR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N754A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N754A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N756A TR 1N756A_S00Z 1N756A_T50A 1N756A_T50R 1N756A-1 1N756ATR 1N756AUR-1 1N757A 1N757A BK 1N757A TR 1N757A_S00Z 1N757A_T50A 1N757A_T50R 1N757A-1 1N757ATR 1N757AUR-1 1N758A 1N758A BK