1N756A.TR

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1N756A.TR 技术参数

1N756A TR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N756A BK 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N756A 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7（DO-204AA）标准包装:1 1N755AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N755ATR 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N757A_S00Z 1N757A_T50A 1N757A_T50R 1N757A-1 1N757ATR 1N757AUR-1 1N758A 1N758A BK 1N758A TR 1N758A_S00Z 1N758A_T50A 1N758A_T50R 1N758A-1 1N758ATR 1N758AUR-1 1N759A 1N759A BK 1N759A TR