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1N935B

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  • 1N935B
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 2345

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司现货,只做原装!

  • 1N935B
    1N935B

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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 2345

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司现货,只做原装!

  • 1N935B
    1N935B

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9650

  • MIC

  • SMD

  • 10+

  • -
  • 绝对公司原装现货

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 9V 5% 500mW 2-Pin DO-7
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 9V 5% 500MW 2PIN DO-7 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER SINGLE 9V 5% 500MW 2-PIN DO-
  • 制造商
  • American Power Devices Inc
  • 功能描述
  • Diodes ((NW))
1N935B 技术参数
  • 1N935A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N916TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N916B_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:30,000 1N916B 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N916ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N938B 1N938BUR-1 1N941 1N942 1N942A 1N943 1N943A 1N944 1N944A 1N945 1N945A 1N945B-1 1N946 1N946A 1N946B 1N957A 1N957B 1N957B BK
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