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1N969B TR

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 22V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
  • 22V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 29 Ohms
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 16.7V
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作温度
  • -65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-35
  • 标准包装
  • 10,000
1N969B TR 技术参数
  • 1N969B BK 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N969B 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AA,DO-7,轴向 供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N969A 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AA,DO-7,轴向 供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N968BTR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N968B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N970BTR 1N971A 1N971B 1N971B BK 1N971B TR 1N971B_T50A 1N971B_T50R 1N971BE3 1N971BTR 1N972A 1N972B 1N972B BK 1N972B TR 1N972B_T50A 1N972B_T50R 1N972BTR 1N973A 1N973B
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