1N972BJAN

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1N972BJAN
标准国际(香港)有限公司
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联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
185
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1N972BJAN 技术参数

1N972B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N972B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N972B TR 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N972B BK 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N972B 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N974B 1N974B BK 1N974B_T50A 1N974B_T50R 1N975A 1N975B 1N975B BK 1N975B TR 1N975B_T50A 1N975B_T50R 1N976A 1N976B 1N976B_T50A 1N976B_T50R 1N977A 1N977B 1N977B_T50A 1N977B_T50R