1SS388-TP

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制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
DIODE SWITCHING 40V 0.1A SOD523
制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
Sgle 1.0A, 45V

1SS388-TP 技术参数

1SS387CT,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:CST2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS387,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS384TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 1SS383T1G 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC82 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82 供应商器件封装:SC-82 标准包装:10 1SS383(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G 1SS400TE61 1SS400-TP 1SS401(TE85L,F)