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1SV280,H3F
参数信息:

功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC

制造商:toshiba semiconductor and storage

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 10V,1MHz

电容比:2.4

电容比条件:C2/C10

电压 - 峰值反向(最大值):15V

二极管类型:单一

不同 Vr,F 时的 Q 值:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-79,SOD-523

供应商器件封装:ESC

标准包装:1

1SV280,H3F技术参数

1SV279TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 不同?Vr,F 时的电容:6.5pF @ 10V,1MHz 电容比:2.5 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向(最大值):15V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV279,H3F 功能描述:PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 不同?Vr,F 时的电容:6.5pF @ 10V,1MHz 电容比:2.5 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向(最大值):15V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:4,000 1SV277TPH3F 功能描述:DIODE VARICAP VCO UHF USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 不同?Vr,F 时的电容:2.35pF @ 4V,1MHz 电容比:2.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向(最大值):10V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV270TPH3F 功能描述:DIODE VARICAP VCO UHF USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 不同?Vr,F 时的电容:8.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向(最大值):10V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV267-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:PIN - 1 对串联 电压 - 峰值反向(最大值):50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr,F 时的电容:0.23pF @ 50V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG

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