1SV308(TH3,F)

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说明
操作

1SV308(TH3,F)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
203
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

1SV308(TH3,F)
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
16000
Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
DIODE PIN 30V ESC

1SV308(TH3,F) 技术参数

1SV307(TPH3,F) 功能描述:SWITCHING DIODE 30V 2 USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:6.6pF @ 4V，1MHz 电容比:3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:6.6pF @ 4V，1MHz 电容比:3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:2.35pF @ 4V，1MHz 电容比:2.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 25V，1MHz 电容比:12.5 电容比条件:C2/C25 电压 - 峰值反向（最大值）:34V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG