您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 > 1字母第5264页 >

1N5364B

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1N5364BRLG
    1N5364BRLG

    1N5364BRLG

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13168731828

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515

    资质:营业执照

  • 4000

  • ON/安森美

  • CASE17

  • 19+

  • -
  • 全新原装发货7-10天

  • 1N5364B
    1N5364B

    1N5364B

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • ONSemico

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

  • 1N5364BRLG
    1N5364BRLG

    1N5364BRLG

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

  • 953

  • Onsemi

  • 集成电路

  • 20+

  • -
  • 进口原装正品,服务VIP

  • 1N5364BG
    1N5364BG

    1N5364BG

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1000

  • ON SEMICONDUCTOR

  • 主营优势

  • 1822

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

1N5364B PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 33V 5W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N5364B 技术参数
  • 1N5364AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 23.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5364AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 23.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5364AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 23.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5364A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 23.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5364A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 23.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5364C/TR12 1N5364C/TR8 1N5364CE3/TR12 1N5364CE3/TR13 1N5364CE3/TR8 1N5364E3/TR12 1N5364E3/TR13 1N5364E3/TR8 1N5365/TR12 1N5365/TR8 1N5365A/TR12 1N5365A/TR8 1N5365AE3/TR12 1N5365AE3/TR13 1N5365AE3/TR8 1N5365B 1N5365B/TR12 1N5365B/TR8
配单专家

在采购1N5364B进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N5364B产品风险,建议您在购买1N5364B相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N5364B信息由会员自行提供,1N5364B内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号