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1N6373

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.3V 1500W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

1N6373 技术参数

1N6372 功能描述:TVS DIODE 45VWM 70VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:45V 电压 - 击穿（最小值）:52.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:70V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6371 功能描述:TVS DIODE 36VWM 54.3VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:54.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:23A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6370 功能描述:TVS DIODE 22VWM 32VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:22V 电压 - 击穿（最小值）:25.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:40A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6369 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V 电压 - 击穿（最小值）:21.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:25.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:50A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6368 功能描述:TVS DIODE 15VWM 21.4VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:17.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:60A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6373RL4 1N6373RL4G 1N6374 1N6374-E3/51 1N6374-E3/54 1N6374-E3/73 1N6374G 1N6374HE3/51 1N6374HE3/54 1N6374HE3/73 1N6374HE3_A/C 1N6374HE3_A/D 1N6375 1N6375-E3/51 1N6375-E3/54 1N6375-E3/73 1N6375G 1N6375HE3/51