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1SMB5915BT3

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  • 功能描述
  • 稳压二极管 3.9V 3W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1SMB5915BT3 技术参数
  • 1SMB5914BT3G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB5914BT3 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:10 1SMB5913BT3G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 3W SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB5913BT3 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 3W SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:10 1SMB58CAT3G 功能描述:TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMB 制造商:on semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):58V 电压 - 击穿(最小值):64.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:93.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):6.4A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:155pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB5919BT3G 1SMB5920B-13 1SMB5920BT3 1SMB5920BT3G 1SMB5921B-13 1SMB5921BT3 1SMB5921BT3G 1SMB5922B-13 1SMB5922BT3 1SMB5922BT3G 1SMB5923B-13 1SMB5923BT3 1SMB5923BT3G 1SMB5924B-13 1SMB5924BT3 1SMB5924BT3G 1SMB5925B-13 1SMB5925BT3
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