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1SMB5926BT3G

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功能描述
稳压二极管 11V 3W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1SMB5926BT3G 技术参数

1SMB5926B-13 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:3,000 1SMB5926 R5G 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 8.4V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）标准包装:850 1SMB5926 M4G 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 8.4V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）标准包装:3,000 1SMB5925BT3G 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB5925BT3 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:10 1SMB5928 M4G 1SMB5928 R5G 1SMB5928B-13 1SMB5928BT3 1SMB5928BT3G 1SMB5928HM4G 1SMB5928HR5G 1SMB5929 M4G 1SMB5929 R5G 1SMB5929B-13 1SMB5929BT3 1SMB5929BT3G 1SMB5929HM4G 1SMB5929HR5G 1SMB5930 M4G 1SMB5930 R5G 1SMB5930B-13 1SMB5930BT3