型号: | 1N4755/D9 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 43 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
封装: | DO-204AL, 2 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | 1N4755/D9 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4757/E1 | 51 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4761/D9 | 75 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4743AT | 13 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4746A | 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4750A | 27 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N4755E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 43V 10% DO41 |
1N4755G | 功能描述:稳压二极管 1W,43V,5%,ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N4755G A0G | 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:3,000 |
1N4755G R0G | 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 |
1N4755P/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 43V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 43V 10% DO41 |