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参数资料
| 型号： | 1N4934GH02-2 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 1N4934GH02-2 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N4934GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4934GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4934GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4934GHR1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4934GL | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
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