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参数资料
| 型号： | 1N4934GM04 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 1N4934GM04 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4934GU06 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4935G-F | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4935GH03-1 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4935GH04 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4935GH07 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4934GP | 功能描述:整流器 1.0a Rectifier Fast Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4934GP/1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4934GP/23 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4934GP/4 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4934GP/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/100V Io/1A BULK GLASS PASSIVATED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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