型号: | 1N4934GP/53 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
封装: | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 320K |
代理商: | 1N4934GP/53 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4934GP/4F | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1N4935GP/54 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1N4935GP/4H | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1N4935GP/71 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1N4935GP/74 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N4934GPE/54 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4934GP-E3/1 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 100 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4934GP-E3/23 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4934GP-E3/4 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4934GP-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |