型号: | 1N6281AE3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-IRELAND |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 380K |
代理商: | 1N6281AE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N6292AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N5221BD2B.CVP | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5223BD2B.DA | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5224BD2B.RAD | 2.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5226BD2A.GRPC | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6281A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6281A-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6281A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6281A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6281A-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |