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参数资料
| 型号： | 1N6302-A |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 1N6302-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1.5KE100AH36-3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE100AH36-4 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE100AM25 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE100AM26 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE100CAH36-1 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6302A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 180V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6302A-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 180V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6302AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1500W, BREAKDOWN VOLTAGE = 180V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS UNI 1.5KW 180V 5% DO-201AD |
| 1N6302AG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 180V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6302AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
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