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20FLT-SM2-TB(M)

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20FLT-SM2-TB(M) 技术参数
  • 20-F40-10 功能描述:20 位 插座 连接器 0.200"(5.08mm) 通孔 锡 制造商:aries electronics 系列:F40 包装:散装 零件状态:有效 连接器类型:插座 触头类型:母形插口 针脚数:20 加载的针脚数:全部 间距:0.200"(5.08mm) 排数:2 排距:0.200"(5.08mm) 安装类型:通孔 端接:焊接 紧固类型:- 特性:- 触头镀层:锡 触头镀层厚度:100μin(2.54μm) 颜色:黑 标准包装:1 20ETS12STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 20A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETS12STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 20A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETS12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 20A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETS12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 20A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 整包 供应商器件封装:TO-220AC 整包 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20FMN-BMTTR-A-TB 20FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 20FMN-SMT-A-TF 20FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 20G LARGE 20GD27 20GEEG3E 20GEEG3EM 20GEEG3E-R 20GEEW3E 20GEEW3E-R 20GENG3E 20GENG3EM 20GENG3E-R 20GENW3E-R 20GM8M 20HS21N102JC 20HS21N221JC
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