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23A025

配单专家企业名单

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说明
操作

23A025
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
3000
Microsemi
原产原产
2023+
-
射频功率双极晶体管 /异质结双极晶体管

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您是不是要找： 23A1024-E/P 23A1024-E/SN 23A1024-E/ST 23A1024-I/P 23A1024-I/SN 23A1024-I/ST 23A1024T-E/SN 23A1024T-E/ST 23A1024T-I/SN

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
LDMOS TRANSISTOR - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS BIPO 55BT-2
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

23A025 技术参数

23A008 功能描述:TRANS RF BIPO 5W 400MA55BT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:22V 频率 - 跃迁:3.7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.5dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值:5W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 工作温度:200°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:55BT 供应商器件封装:55BT 标准包装:1 23A005 功能描述:TRANS RF BIPO 3W 400MA 55BT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:22V 频率 - 跃迁:4.3GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.5dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 工作温度:200°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:55BT 供应商器件封装:55BT 标准包装:1 2399 功能描述:BOX ALUM BLUE 2.25"L X 1.13"W 制造商:pomona electronics 系列:尺寸 A 零件状态:有效容器类型:盒大小/尺寸:2.250" 长 x 1.130" 宽（57.15mm x 28.70mm）高度:0.880"（22.35mm）面积（L x W）:2.54"（16.4cm）设计:包含盖材料:金属 - 铝颜色:蓝厚度:- 特性:?? ???，EMI ?? 等级:- 材料可燃性等级:- 发货信息:从 Digi-Key 运送重量:- 标准包装:2 2398D 功能描述:CMPRSR TRANS CLUTCH SPR 制造商:apex tool group 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2398 功能描述:Round Spacer Unthreaded #10 Nylon 1.000" (25.40mm) 1" Natural 制造商:keystone electronics 系列:- 零件状态:有效类型:圆形垫片有丝/无丝:无螺纹公母:母头，母头螺钉，螺纹规格:#10 直径 - 内部:0.177"（4.50mm）直径 - 外部:0.500"（12.70mm）1/2" 板间高度:1.000"（25.40mm）1" 长度 - 总:1.000"（25.40mm） 1" 特性:牵引器材料:尼龙镀层:- 颜色:自然色重量:- 标准包装:100 23A1024T-I/ST 23A256-I/P 23A256-I/SN 23A256-I/ST 23A256T-I/SN 23A256T-I/ST 23A512-E/P 23A512-E/SN 23A512-E/ST 23A512-I/P 23A512-I/SN 23A512-I/ST 23A512T-E/SN 23A512T-E/ST 23A512T-I/SN 23A512T-I/ST 23A640-I/P 23A640-I/SN