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23MM-23MM-25-5590H-05

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

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  • 制造商
  • 3M
  • 功能描述
  • 23MM X 23MM 1=25/PK
23MM-23MM-25-5590H-05 技术参数
  • 23LCV512T-I/ST 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512T-I/SN 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512T-E/ST 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512T-E/SN 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512-I/ST 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23S05-1HDCGI8 23S05E-1DCG 23S05E-1DCG8 23S05E-1DCGI 23S05E-1DCGI8 23S05E-1HDCG 23S05E-1HDCG8 23S05E-1HDCGI 23S05E-1HDCGI8 23S05T-1DCG 23S05T-1DCG8 23S05T-1DCGI 23S05T-1DCGI8 23S08-1DCG 23S08-1DCG8 23S08-1DCGI 23S08-1DCGI8 23S08-1HDCG
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