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2N2222ATRIM

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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2N2222ATRIM 技术参数
  • 2N2222AL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N2222AE3 功能描述:SMALL-SIGNAL BJT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:100 2N2222A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N2222 功能描述:TRANS NPN 30V 0.8A TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N2221AUB 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-SMD 标准包装:1 2N2323 2N2323A 2N2323AS 2N2323AU4 2N2323S 2N2323U4 2N2324 2N2324A 2N2324AS 2N2324AU4 2N2324S 2N2324U4 2N2325 2N2325A 2N2325AS 2N2325AU4 2N2325S 2N2325U4
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