2N2396

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2N2396 技术参数

2N2369AUB 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:表面安装供应商器件封装:SMD 标准包装:1 2N2369AUA 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:表面安装供应商器件封装:SMD 标准包装:1 2N2369AU 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:表面安装供应商器件封装:SMD 标准包装:1 2N2369A 功能描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，350mV 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N2369 功能描述:NPN MED PWR HS TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 基本零件编号:2N2369 标准包装:500 2N2484UA 2N2484UB 2N2604 2N2605 2N2605UB 2N2639 2N2640 2N2641 2N2642 2N2643 2N2644 2N2652 2N2652A 2N2720 2N2721 2N2722 2N2811 2N2812