2N2867

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10

2N2867 技术参数

2N2857UB 功能描述:RF Transistor NPN 15V 40mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz 增益:21dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N2857 功能描述:TRANS NPN 15V 40MA TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:2,000 2N2814 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N2813 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N2812 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N2905AL 2N2906 2N2906A 2N2906AL 2N2906AUA 2N2906AUB 2N2907 2N2907A 2N2907A DL 2N2907A W/GOLD 2N2907AL 2N2907AUA 2N2907AUB 2N2913 2N2914 2N2915 2N2915A 2N2916