配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N3036
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
MOT
CAN
15+
-
原装正品，假一罚十

2N3036
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
CENTRAL S
1521+
-
全新原装现货

2N3036
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9331
MOT
CAN
12+
-
绝对公司原装现货

2N3036
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
RAY
2011
-
假一罚十，百分百原装正品

2N3036
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
856420
N/A
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： 2N3053 2N3053A 2N3055 2N3055AG 2N3055G 2N3055H 2N3055HG 2N3057A 2N3108

2N3036 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N3036 PDF下载

功能描述
两极晶体管 - BJT NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N3036 技术参数

2N3019S 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N3019 功能描述:TRANS NPN 80V 1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3014 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，400mV 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-52-3 基本零件编号:2N3014 标准包装:250 2N3013 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，400mV 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 基本零件编号:2N3013 标准包装:250 2N2946AUB 功能描述:TRANS PNP 35V 0.1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1mA，500mV 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N3117 2N3250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2