2N3040

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2N3040 技术参数

2N3019S 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N3019 功能描述:TRANS NPN 80V 1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3014 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，400mV 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-52-3 基本零件编号:2N3014 标准包装:250 2N3013 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，400mV 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 基本零件编号:2N3013 标准包装:250 2N2946AUB 功能描述:TRANS PNP 35V 0.1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1mA，500mV 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N3117 2N3250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2