2N30811

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2N30811 技术参数

2N3057A 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装:TO-46-3 标准包装:1 2N3055HG 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:115W 频率 - 跃迁:2.5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N3055H 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:115W 频率 - 跃迁:2.5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N3055G 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:115W 频率 - 跃迁:2.5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N3055AG 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 7A，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 4A，2V 功率 - 最大值:115W 频率 - 跃迁:6MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2 2N336 2N336A 2N336ALT2 2N336AT2 2N336LT2 2N336T2 2N3390 2N3390_D75Z