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2N3506L

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  • 制造商
  • SEMICOA
  • 制造商全称
  • SEMICOA
  • 功能描述
  • Chip Type 2C3506 Geometry 1506 Polarity NPN
2N3506L 技术参数
  • 2N3506AL 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N3506A 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N3501UB 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/366 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N3501L 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3501 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L 2N3635UB 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z
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