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2N3832

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  • 2N3832
    2N3832

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 2N3832
    2N3832

    2N3832

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MOT

  • CAN

  • 08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2N3832
    2N3832

    2N3832

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9331

  • MOT

  • CAN

  • 12+

  • -
  • 绝对公司原装现货

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2N3832 技术参数
  • 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/375 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):20mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:* 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):8V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6pF @ 15V 电阻 - RDS(开):* 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/375 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):50V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):10mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/375 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):50V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):20V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):300μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):32pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N3820 功能描述:JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):20V 漏源电压(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):300mA @ 10V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):32pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N3879 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z
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