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2N3904S-RTR/PS

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2N3904S-RTR/PS 技术参数
  • 2N3904RLRPG 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N3904RLRMG 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N3904RLRAG 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N3904RLRA 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:10 2N3904RL1G 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N3905TA 2N3905TAR 2N3905TF 2N3905TFR 2N3906 2N3906,116 2N3906_D11Z 2N3906_D27ZS00Z 2N3906_D81Z 2N3906_J05Z 2N3906_J18Z 2N3906_J25Z 2N3906_J61Z 2N3906-AP 2N3906BU 2N3906G 2N3906-G 2N3906RL1G
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