2N4285

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2N4285 技术参数

2N4264 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N4261UB 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N4261 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-72-3 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N4240 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4238 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4362 2N4363 2N4364 2N4365 2N4366 2N4367 2N4368 2N4371 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3