2N4391JANTX

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2N4391JANTX 技术参数

2N4391-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 标准包装:200 2N4391-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 标准包装:50 2N4391 功能描述:JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:100pA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:10V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:30 Ohms 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N4378 功能描述:THYRISTOR STUD 1400V 70A TO-94 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 断态:1400V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:250mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.5V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:70A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:110A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:- 电流 - 断态（最大值）:10mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:1600A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:TO-209AC，TO-94-4，接线柱供应商器件封装:- 标准包装:1 2N4377 功能描述:THYRISTOR STUD 1200V 70A TO-94 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 断态:1200V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:250mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.5V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:70A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:110A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:- 电流 - 断态（最大值）:10mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:1600A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:TO-209AC，TO-94-4，接线柱供应商器件封装:- 标准包装:1 2N4398 2N4399 2N4400_D81Z 2N4400_S00Z 2N4400BU 2N4400TA 2N4400TAR 2N4400TF 2N4400TFR 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z