2N43O2

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2N43O2 技术参数

2N4399 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4398 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4393UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4393-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:100 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 标准包装:200 2N4393-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:100 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 标准包装:20 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G 2N4401NLBU 2N4401RLRA 2N4401RLRAG 2N4401RLRM 2N4401RLRMG 2N4401RLRPG 2N4401T93