2N4920GTO

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " 2N4920GTO " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 2N4921 2N4921G 2N4922G 2N4923 2N4923G 2N4930 2N4931 2N4937 2N4938

2N4920GTO PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N4920GTO 技术参数

2N4920G 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4919G 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4919 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4918G 功能描述:TRANS PNP 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4918 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:1,000 2N4939 2N4953 2N4953_D26Z 2N4957 2N4957UB 2N497 2N498 2N5000 2N5001 2N5002 2N5003 2N5004 2N5005 2N5010 2N5011 2N5031 2N5038G 2N5039