2N492B

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2N492B
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
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CAN
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制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述

2N492B 技术参数

2N4923G 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4923 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-126 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:1,000 2N4922G 功能描述:TRANS NPN 60V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4921G 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N4921 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N497 2N498 2N5000 2N5001 2N5002 2N5003 2N5004 2N5005 2N5010 2N5011 2N5031 2N5038G 2N5039 2N5050 2N5051 2N5052 2N5058 2N5060