2N5089-S

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2N5089-S 技术参数

2N5089RLRAG 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5089RLRA 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5089G 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 2N5089BU 功能描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N5089_J18Z 功能描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5114-E3 2N5114JAN02 2N5114JTVL02 2N5114JTX02 2N5114JTXL02 2N5114JTXV02 2N5114UB 2N5115 2N5115-E3 2N5115JAN02 2N5115JTVL02 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02